とはLEDチップ?では、その特徴は何でしょうか？LED チップの製造は主に、効果的で信頼性の高い低抵抗接触電極を製造し、接触可能な材料間の比較的小さい電圧降下に対応し、溶接ワイヤ用の圧力パッドを提供し、可能な限り発光することを目的としています。膜転移プロセスには真空蒸着法が一般的です。4paの高真空下で抵抗加熱や電子線照射加熱法により材料を溶解し、低圧下でbZX79C18が金属蒸気となって半導体材料表面に堆積します。

一般に、p型コンタクトメタルにはAube、auznなどの合金が使用され、n側コンタクトメタルにはAuGeNi合金が採用されることが多い。電極の接触層と露出した合金層は、リソグラフィープロセスの要件を効果的に満たすことができます。フォトリソグラフィープロセスの後、合金化プロセスも行われます。合金化プロセスは通常、H2 または N2 の保護下で行われます。合金化の時間と温度は、通常、半導体材料の特性や合金炉の形状に応じて決定されます。もちろん、青や緑などのチップ電極プロセスがより複雑な場合は、不動態膜の成長やプラズマエッチングプロセスを追加する必要があります。

LEDチップの製造プロセスにおいて、光電性能に重要な影響を与えるプロセスはどれですか?

一般的には、終了後、LEDエピタキシャル生産、その主な電気的特性は最終的に決定されており、チップの製造によって核の性質が変わることはありませんが、コーティングと合金化のプロセスにおける不適切な条件により、電気的パラメータに悪影響が生じる可能性があります。たとえば、合金化温度が低いか高いと、オーム接触が不良になり、これがチップ製造における順方向電圧降下 VF が高くなる主な原因です。切断後、チップ端面に腐食処理を施すと、チップの逆漏れを改善することができます。ダイヤモンド砥石刃で切削した場合、切りくずの端に多くの切り粉や粉が残るためです。これらがLEDチップのPN接合部に付着すると、漏電や故障の原因となります。また、チップ表面のフォトレジストがきれいに剥離されていないと、表溶接や誤溶接が困難になる場合があります。背面にある場合も高い圧力損失が発生します。チップの製造工程において、表面を粗く逆台形構造に分割することで光強度を向上させることができます。

LED チップをさまざまなサイズに分割する必要があるのはなぜですか?LED の光電性能に対するサイズの影響は何ですか?

LEDチップのサイズは、電力に応じて低電力チップ、中電力チップ、高電力チップに分類できます。顧客の要求に応じて、単管レベル、デジタル レベル、ドット マトリックス レベル、装飾照明に分けることができます。チップの具体的なサイズについては、さまざまなチップ メーカーの実際の生産レベルに応じて決定され、特別な要件はありません。プロセスが通過する限り、チップはユニット出力を向上させ、コストを削減することができ、光電性能は基本的に変わりません。チップの使用電流は実際にはチップを流れる電流密度に関係します。チップが小さい場合は使用電流が小さく、チップが大きい場合は使用電流が大きくなります。それらの単位電流密度は基本的に同じです。大電流では放熱が主な問題となるため、低電流に比べて発光効率が低くなります。一方、面積が増加するとチップのボディ抵抗が減少するため、順方向オン電圧は減少します。

LEDハイパワーチップの面積はどれくらいですか?なぜ？

LEDハイパワーチップ白色光の場合、市場では通常約 40mil です。ハイパワーチップのいわゆる使用電力とは、一般に1W以上の電力を指します。量子効率は一般に20%未満であるため、電気エネルギーのほとんどが熱エネルギーに変換されるため、高出力チップの放熱は非常に重要であり、チップには大きな面積が必要です。

GaNエピタキシャル材料を製造するためのチップ技術と処理装置の要件は、ギャップ、GaAs、InGaAlPと比べてどのような違いがありますか?なぜ？

通常の LED 赤および黄色チップと明るい Quad 赤および黄色チップの基板は、ギャップや GaAs などの化合物半導体材料でできており、通常は n 型基板にすることができます。ウェットプロセスでリソグラフィーを行い、ダイヤモンド砥石刃で切りくずをカットします。GaN材料の青緑色のチップはサファイア基板です。サファイア基板は絶縁されているため、LEDの片極としては使用できません。ドライエッチングプロセスといくつかのパッシベーションプロセスを通じて、エピタキシャル表面にp / N電極を同時に作成する必要があります。サファイアは非常に硬いため、ダイヤモンド砥石の刃では切りくずを出すのが困難です。その技術プロセスは一般に、ギャップ材料や GaAs 材料で作られた LED の技術プロセスよりも複雑です。

「透明電極」チップの構造と特徴は何ですか？

いわゆる透明電極は、導電性と透明性を有する必要がある。この材料は現在、液晶製造プロセスで広く使用されています。名前はインジウム錫酸化物、略してITOと呼ばれますが、はんだパッドとしては使用できません。製造中に、オーミック電極がチップの表面に作成され、次に ITO の層が表面に覆われ、次に溶接パッドの層が ITO 表面にめっきされます。このようにして、リード線からの電流は ITO 層を介して各オーミックコンタクト電極に均等に分配されます。同時に、ITOの屈折率は空気の屈折率とエピタキシャル材料の屈折率の間にあるため、光の角度が改善され、光束が増加します。

半導体照明用チップ技術の主流は何ですか?

半導体LED技術の発展に伴い、照明分野での応用はますます増えており、特に白色LEDの出現は半導体照明のホットスポットとなっています。ただし、主要なチップとパッケージング技術は改善する必要があります。チップに関しては、高出力、高発光効率、熱抵抗の低減を目指して開発する必要があります。電力が増加するということは、チップの使用電流が増加することを意味します。より直接的な方法は、チップ サイズを大きくすることです。現在一般的なハイパワーチップは1mm×1mm程度、動作電流は350mAとなっており、使用電流の増大により放熱の問題が顕著になってきています。さて、この問題は基本的にチップフリップの方法によって解決されます。LED 技術の発展に伴い、照明分野での応用は前例のない機会と課題に直面することになります。

フリップチップとは何ですか？その構造は何ですか?その利点は何ですか?

青色LEDは通常Al2O3基板を採用しています。Al2O3基板は硬度が高く、熱伝導率が低い。正式な構造を採用すると、一方では帯電防止の問題が生じます。一方で、大電流下では熱放散も大きな問題となります。同時に、前面電極が上向きであるため、一部の光が遮られ、発光効率が低下します。高出力青色 LED は、従来のパッケージング技術よりもチップ フリップ チップ技術を通じて、より効果的な光出力を得ることができます。

現在主流のフリップチップ構造方法は、まず共晶溶接電極を備えた大型の青色LEDチップを用意し、青色LEDチップより一​​回り大きなシリコン基板を用意し、金の導電層と引き出し配線層を作製する（超音波金線ボールはんだ接合）を共晶溶接します。次に、高出力青色 LED チップとシリコン基板を共晶溶接装置で溶接します。

この構造の特徴は、エピタキシャル層がシリコン基板に直接接しており、シリコン基板の熱抵抗がサファイア基板に比べて非常に低いため、放熱の問題がうまく解決されています。フリップ実装後はサファイア基板が上を向くため発光面となり、サファイアは透明であるため発光の問題も解決される。以上が LED 技術の関連知識です。科学技術の発展により、将来の LED ランプはますます高効率になり、寿命も大幅に向上し、利便性が向上すると信じています。